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HKTD50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：VDS：60V Min，ID：50A Max。 RDS(ON)：17mΩ(max.)@VGS=10V，ID=20A。 RDS(ON)：23mΩ(max.)@VGS=4.5V，ID=20A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD50N06
- 商品编号
- C5364292
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 漏源电压(VDS):最小值60V,漏极电流(ID):最大值50A。
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS)=10V、漏极电流(ID)=20A时,最大值为17mΩ。
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS)=4.5V、漏极电流(ID)=20A时,最大值为23mΩ。
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
应用领域
- 低功耗 DC-DC 转换器应用
- 负载开关应用