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HKTD20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性：VDS：60V Max.，ID：20A Max.。 RDS(ON)：37mΩ(max.)@VGS=10V，ID=10A。 RDS(ON)：48mΩ(max.)@VGS=5V，ID=5A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD20N06
- 商品编号
- C5364290
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@5V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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