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AO4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻：VDS = -30V，ID = -10A，RDS(ON) ≤ 18mΩ（VGS = -10V）。 超低栅极电荷。 适用于负载开关或PWM应用。 表面贴装器件
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- AO4435
- 商品编号
- C5364282
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 超低导通电阻:VDS = -30 V,ID = -10 A,VGS = -10 V 时,RDS(ON) ≤ 18 mΩ
- 超低栅极电荷
- 表面贴装器件
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理