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HKTD4N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 特性：VDS：650V Max.。 ID：4A Max.。 RDS(ON)：2.6Ω (max.) @VGS = 10V, ID = 1A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD4N65
- 商品编号
- C5364285
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 23.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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