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HKTD5N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 特性：VDS：最小200V，ID：最大5A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 2.5A时最大0.6Ω。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD5N20
- 商品编号
- C5364286
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个2500个/圆盘
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