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G12P06K
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G12P06K
- 商品编号
- C5258965
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.108nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |