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GC11N65D5
650V、330mΩ、11A MOSFET
- 描述
- 特性：针对高速平滑开关进行优化。 增强体二极管 dv/dt 能力。 增强雪崩耐用性。 100% UIS 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换。 硬开关和高速电路
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC11N65D5
- 商品编号
- C5259050
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- VDS 500V
- ID（VGS = 10 V时）9A
- RDS(ON)（VGS = 10V时）< 0.85 Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器