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GC20N65T
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 使用先进的超级结技术设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。适用于工业AC-DC开关电源(PFC)、AC/DC电源转换和其他工业电源应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC20N65T
- 商品编号
- C5259054
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 61pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
GC20N65T采用先进的超结技术和设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于工业AC-DC开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及其他工业电源应用需求。
商品特性
- 优化的体二极管反向恢复性能
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 开关电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- LLC半桥