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GC20N65FD
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 使用先进超级结技术和设计，提供出色的RDS(on)、低栅极电荷和运行性能。适用于工业AC-DC开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）、AC/DC功率转换和工业电源应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC20N65FD
- 商品编号
- C5259052
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.894克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 167mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.729nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
G2N7002X采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）：340mA
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 10V时）：<5Ω
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS） = 4.5V时）：<5.3Ω
- 静电放电（ESD）防护高达2.5KV（人体模型（HBM））
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器