温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G23N06K
1个N沟道 耐压:60V 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G23N06K
- 商品编号
- C5258976
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
G100N03D5采用先进的沟槽工艺，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):60V
- 漏极电流(ID,VGS = 10V时):23A
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 35mΩ
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 4.5V时):< 40mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器