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G58N06K
1个N沟道 耐压:60V 电流:58A
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G58N06K
- 商品编号
- C5258981
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,58A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.841nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G180P06T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-45A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 18 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器