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GT105N10K
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT105N10K
- 商品编号
- C5258999
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.574nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
G09N06S2采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：9A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：<18mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）：<20mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器