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G12P10TE
1个P沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- G12P10TE采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G12P10TE
- 商品编号
- C5258987
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.717nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |