商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 760pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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原价
折合1管
5+￥1.555755￥1.8303
50+￥1.22162￥1.4372￥71.86
150+￥1.078395￥1.2687￥63.43
500+￥0.899725￥1.0585￥52.93
2500+￥0.820165￥0.9649￥48.25
5000+￥0.772395￥0.9087￥45.43
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