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GC11N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 使用先进的超级结技术和设计，提供出色的导通电阻（Ros(on)）、低栅极电荷和运行性能。该器件适用于工业AC-DC开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC11N65M
- 商品编号
- C5259035
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.689克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 768pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™ H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FoM）在同类产品中名列前茅。
商品特性
-通过AEC-Q101认证-低导通电阻RDS(ON)-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗-可焊侧翼封装
应用领域
-开关应用