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GT100N12K
1个N沟道 耐压:120V 电流:65A
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT100N12K
- 商品编号
- C5259000
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.911nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 快速开关
- 无铅（Pb）且无卤