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5N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，具备高稳健性雪崩特性，如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于交流适配器、电池充电器和开关电源中
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 5N60
- 商品编号
- C5259021
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,具备高抗雪崩特性,如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷,尤其是出色的雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于交流适配器、电池充电器和开关电源。
商品特性
- 4.5A、600V,VGS = 10V时,RDS(导通) = 2.5Ω
- 低栅极电荷(典型值17nC)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 交流适配器
- 电池充电器
- 开关电源