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G1006R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G1006R

100V

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描述
G1006R采用先进的沟槽技术和设计,在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G1006R
商品编号
C5258995
商品封装
TO-92​
包装方式
袋装
商品毛重
0.262克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))122mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)15.5nC@30V
输入电容(Ciss)690pF@25V
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃

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