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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GT090N06K

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT090N06K
商品编号
C5258979
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.382克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.088nF
反向传输电容(Crss)18pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)284pF

商品概述

1002-9采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS 90V
  • ID(VGS = 10 V时)2A
  • RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 250 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5V时)< 260 mΩ
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关-DC/DC转换器