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GT110N06D3
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT110N06D3
- 商品编号
- C5258978
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.059nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
GT060N04K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：40V
- 漏极电流（ID，VGS = 10V时）：54A
- 导通电阻（RDS(ON)，VGS = 10V时）：< 5.5mΩ
- 导通电阻（RDS(ON)，VGS = 4.5V时）：< 7.5mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器