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G05N06S2
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
- 描述
- 使用先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。通过AEC-Q101认证。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G05N06S2
- 商品编号
- C5258973
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.374nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |