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G09N06S2
2个N沟道 耐压:60V 电流:9A
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G09N06S2
- 商品编号
- C5258975
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G09N06S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS 60V
- ID(VGS=10 V 时)9A
- RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 18 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 20 mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器