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G09N06S2实物图
  • G09N06S2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G09N06S2

2个N沟道 耐压:60V 电流:9A

描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可用于多种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G09N06S2
商品编号
C5258975
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.173181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V,9A
耗散功率(Pd)2.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.9V
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)2.18nF
反向传输电容(Crss)270pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

GT240P10M采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷,可广泛应用于各种领域。

商品特性

  • 漏源电压:-100V
  • 漏极电流(栅源电压为 -10V 时):-60A
  • 漏源导通电阻(栅源电压为 -10V 时):< 24mΩ
  • 漏源导通电阻(栅源电压为 -4.5V 时):< 30mΩ
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率开关
  • DC/DC 转换器

数据手册PDF