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G2N7002X
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2N7002X
- 商品编号
- C5258971
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器
商品特性
- 漏源电压(VDS):60V
- 漏极电流(ID):340mA
- 导通电阻 RDS(ON)(VGS=10 V 时):<5Ω
- 导通电阻 RDS(ON)(VGS=4.5 V 时):<5.3Ω
- 静电放电(ESD)防护能力高达2.5KV(人体模型HBM)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器