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G2N7002X
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2N7002X
- 商品编号
- C5258971
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基二极管单片集成在单个芯片中
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）——将传导损耗降至最低
- 低源漏电压（VSD）——减少体二极管导通造成的损耗
- 低反向恢复电荷（QRR）——集成肖特基二极管的低QRR可降低体二极管开关损耗
- 低栅极电容比（Qg / Qgs）——降低高频下直通或交叉传导电流的风险
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，使终端产品更小
- 100%经过单脉冲雪崩测试（UIS）额定
- 100%经过栅极电阻（Rg）测试
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤无锑，是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器