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03N06L实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

03N06L

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
03N06L
商品编号
C5258972
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.6nC@30V
输入电容(Ciss)510pF
反向传输电容(Crss)26pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)28pF

商品概述

G58N06K采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS:60V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):58A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 13mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 15mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关
  • 直流-直流转换器