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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G700P06T

1个P沟道 耐压:60V 电流:25A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G700P06T
商品编号
C5258967
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.824克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V,4A
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.428nF@30V
反向传输电容(Crss)60pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)64pF

商品概述

G7P03D2采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS:-30V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-7A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 20.5 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 26 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关电源(SMPS)或LED驱动器中的同步整流
  • 不间断电源(UPS)
  • 电机控制
  • 电池管理系统(BMS)
  • 高频电路