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DMG1012UW
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.64A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1012UW
- 商品编号
- C5245246
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 640mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 67pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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