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DMC31D5UDJ-7B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC31D5UDJ-7B
- 商品编号
- C5245244
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XP162A12A6PR是一款P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于能够实现高速开关，因此可以高效地设置IC，从而节省能源。 内置栅极保护二极管，可防止静电损坏。 小型SOT - 89封装可实现高密度安装。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装,1mm x 1mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关