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DMC2700UDMQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 这款MOSFET经过精心设计，在最大限度降低导通电阻（Rds(on)）的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2700UDMQ-7
- 商品编号
- C5245237
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V,1.14A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 622.4pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 59.76pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UMW BS170FTA采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤标准
- 低阈值：2V（典型值）
- 低输入电容：25pF
- 快速开关速度：25ns
- 漏源电压 = 60V
- 漏极电流 = 250mA
- 漏源导通电阻 < 2.8mΩ（栅源电压 = 10V）
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 1200V静电放电保护
- 符合RoHS指令2002/95/EC