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ZXMS6005DGQTA
60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）
- 描述
- 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧IntelliFET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。适用于标准MOSFET不够坚固的恶劣环境中，由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6005DGQTA
- 商品编号
- C5244329
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@3V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |