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BS170P
N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）
- 描述
- 特性：60V VDS。 RDS(on)=5Ω
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BS170P
- 商品编号
- C5245233
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |