温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BS170P
N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）
- 描述
- 特性：60V VDS。 RDS(on)=5Ω
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BS170P
- 商品编号
- C5245233
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2N6767 和 2N6768 是用于 n 型增强型硅栅功率 MOS 场效应晶体管的器件，适用于诸如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极型开关晶体管等应用。这类器件可以直接由集成电路供电。 这类器件采用 JEDEC TO-204AA 钢质封装形式提供。
商品特性
- 60 伏 VDS
- RDS(on) = 5 欧姆
- E 系列
- 兼容 TO92 封装