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2N7002-13-F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
商品概述
HXY2101EI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -1.8A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET