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NVMJST1D2N04CTXG实物图
  • NVMJST1D2N04CTXG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMJST1D2N04CTXG

1个N沟道 耐压:40V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMJST1D2N04CTXG
商品编号
C5208905
商品封装
LFPAK-10(7.5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
属性参数值
导通电阻(RDS(on))1.2mΩ
耗散功率(Pd)150W

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

数据手册PDF