温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXH450N65L4Q2F2S1G
中性点钳位三电平逆变器模块，集成场截止沟槽IGBT和FRD，低电感布局，可焊引脚，带热敏电阻
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH450N65L4Q2F2S1G
- 商品编号
- C5208967
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 188.316667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 633W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 167A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 501A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 300uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.49V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 452nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 14.63nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 64pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 150ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 692ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 24.4ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |