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NTHL022N120M3S
碳化硅N沟道MOSFET，超低栅极电荷，低有效输出电容，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL022N120M3S
- 商品编号
- C5209023
- 商品封装
- TO-247-3LD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 352W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 141pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |