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NVH4L095N065SC1
碳化硅功率N沟道单MOSFET，超低栅极电荷，低输出电容，通过雪崩测试，符合AEC - Q101标准
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L095N065SC1
- 商品编号
- C5209030
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 129W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |