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NVBG022N120M3S

碳化硅(SiC)MOSFET

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描述
碳化硅
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVBG022N120M3S
商品编号
C5209042
商品封装
D2PAK7(TO-263-7L-HV)​
包装方式
编带
商品毛重
5.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)58A
耗散功率(Pd)234W
阈值电压(Vgs(th))4.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)148nC
输入电容(Ciss)3.2nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)148pF
导通电阻(RDS(on))30mΩ

商品特性

  • 典型导通电阻 RDS(on) = 22 mΩ @ VGS = 18 V
  • 超低栅极电荷(QG(tot) = 142 nC)
  • 低电容高速开关(Coss = 146 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 通过 AEC - Q101 认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车车载充电器
  • 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器

数据手册PDF