NVBG022N120M3S
碳化硅(SiC)MOSFET
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG022N120M3S
- 商品编号
- C5209042
- 商品封装
- D2PAK7(TO-263-7L-HV)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 5.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 耗散功率(Pd) | 234W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 148pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
商品特性
- 典型导通电阻 RDS(on) = 22 mΩ @ VGS = 18 V
- 超低栅极电荷(QG(tot) = 142 nC)
- 低电容高速开关(Coss = 146 pF)
- 100%雪崩测试
- 通过 AEC - Q101 认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器


