温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTBG014N120M3P
碳化硅（SiC）N沟道MOSFET，低开关损耗，100%雪崩测试
- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG014N120M3P
- 商品编号
- C5209029
- 商品封装
- D2PAK7(TO-263-7L-HV)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
碳化硅（SiC）N沟道MOSFET，低开关损耗，100%雪崩测试
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |