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NVMJST2D6N08HTXG
1个N沟道 耐压:80V
- 描述
- 特性：小尺寸（5x7mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 TCPAK57顶部散热封装（TCPAK10）。 通过AEC-Q101认证且可提供生产件批准程序文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMJST2D6N08HTXG
- 商品编号
- C5208907
- 商品封装
- LFPAK-10(7.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 131.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.405nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸（5x7 mm），适合紧凑型设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- TCPAK57 5x7顶部散热封装
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准