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NVMFWS0D4N04XMT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:509A
- 描述
- 特性：低导通电阻，以减少传导损耗。 低电容，以减少驱动损耗。 小尺寸（5x6mm），设计紧凑。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS0D4N04XMT1G
- 商品编号
- C5209352
- 商品封装
- DFNW-5(5x6)(SO-8-FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 509A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动器损耗
- 小封装尺寸(5x6 mm),设计紧凑
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-电机驱动-电池保护-同步整流