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ZX5T851GQTC
NPN 电压:60V
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- 描述
- 这种双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZX5T851GQTC
- 商品编号
- C5209395
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 130MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 50mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品概述
这款双极结型晶体管（BJT）专为满足汽车应用的严格要求而设计。
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） > 60 V
- 集电极连续电流（IC） = 6 A（高值）
- 集电极脉冲峰值电流（ICM） = 20 A
- 低饱和电压：在1 A电流下，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)） < 60 mV
- 低等效导通电阻：饱和电阻（RSAT） = 35 mΩ
- 高增益维持：在高达10 A电流下规定电流放大倍数（hFE）
- 互补PNP型：ZX5T951GQ
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- ZX5T851GQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF16949认证的工厂制造。
应用领域
- 应急照明电路
- MOSFET和IGBT栅极驱动器
- 螺线管、继电器和执行器驱动器
- 直流模块
- 电机控制