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NCV51563CADWR2G
5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver with High Channel-to-Channel spacing
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- 描述
- NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV51563CADWR2G
- 商品编号
- C5209370
- 商品封装
- SOIC-14-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 9A | |
| 拉电流(IOH) | 2.6A | |
| 工作电压 | 14.5V~30V | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 传播延迟 tpLH | 36ns | |
| 传播延迟 tpHL | 36ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.4V~1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 780uA |
商品概述
NCV51563是隔离式双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关以驱动功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率开关而设计。NCV51563具有短且匹配的传播延迟。 两个独立的输出与输入之间具备5 kVRMS的内部电流隔离，两个输出驱动器之间具备内部功能隔离，可实现高达1850 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端开关、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任意可能配置。 ENA/DIS引脚在分别设置为低电平或高电平时，可同时关闭两个输出，以实现启用或禁用模式。 NCV51563还提供其他重要的保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。
商品特性
- 灵活性高：可作为双低端、双高端或半桥栅极驱动器
- 源极峰值电流4.5 A，漏极峰值输出电流能力9 A
- 两个输出驱动器均具备独立的欠压锁定（UVLO）保护
- 输出电源电压范围为6.5 V至30 V，MOSFET的欠压锁定阈值为5 V和8 V，SiC的欠压锁定阈值为13 V和17 V
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）> 200 V/ns
- 传播延迟典型值为36 ns，每通道最大延迟匹配为5 ns，最大脉冲宽度失真为5 ns
- 用户可编程输入逻辑：通过ANB实现单输入或双输入模式、启用或禁用模式
- 用户可编程死区时间
- 符合AEC - Q100汽车应用要求
- 隔离与安全：符合UL1577要求的1分钟5 kVRMS隔离、符合VDE0884 - 11要求的8000 VpK加强隔离电压、符合GB4943.1 - 2011的CQC认证、符合IEC 62386 - 1的SGS FIMO认证
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 车载充电器
- 新能源汽车（XEV）DC - DC转换器
- 牵引逆变器
- 充电站
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