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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 915mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。 此外，D2PAK 7引脚封装提供开尔文检测功能，可实现更高的开关速度，使设计人员能够减小整体应用的占用空间。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 114 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 45 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 409 pF）
- 100%雪崩测试
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 纯电动汽车（BEV）的汽车DC/DC转换器