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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 915mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。 此外，D2PAK 7引脚封装提供开尔文检测功能，可实现更高的开关速度，使设计人员能够减小整体应用的占用空间。
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),提高系统效率
- 低阈值电压,额定值为1.5 V
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 提供无铅封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池管理
- 便携式设备,如手机、个人数字助理(PDA)、数码相机、寻呼机等