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NTMFS002N10MCLT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:22A 175A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS002N10MCLT1G
- 商品编号
- C5209347
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W；189W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1500个/圆盘
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