NTBG028N170M1
碳化硅N沟道MOSFET,超低栅极电荷,低有效输出电容,100%雪崩测试,符合RoHS标准
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- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG028N170M1
- 商品编号
- C5209020
- 商品封装
- D2PAK7(TO-263-7L-HV)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
碳化硅N沟道MOSFET,超低栅极电荷,低有效输出电容,100%雪崩测试,符合RoHS标准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |