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NTBG028N170M1
碳化硅N沟道MOSFET，超低栅极电荷，低有效输出电容，100%雪崩测试，符合RoHS标准
- 描述
- 碳化硅
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG028N170M1
- 商品编号
- C5209020
- 商品封装
- D2PAK7(TO-263-7L-HV)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |