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NTTFS012N10MDTAG
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 特性：屏蔽栅MOSFET技术。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 低QRR，软恢复体二极管。 低QSS以提高轻载效率。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍，并且符合RoHS标准。应用：隔离式DC-DC转换器中的初级开关。 DC-DC和AC-DC中的同步整流（SR）
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS012N10MDTAG
- 商品编号
- C5208924
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.357143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 965pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有良好的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。 此外，D2PAK 7引脚封装提供开尔文检测功能，可实现更高的开关速度，使设计人员能够减小整体应用的占用空间。
商品特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(on),以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以降低驱动损耗
- 低反向恢复电荷QRR,体二极管软恢复
- 低输出电荷QOSS,以提高轻载效率
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍,符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC-DC转换器中的初级开关
- DC-DC和AC-DC中的同步整流(SR)
- AC-DC适配器(USB PD)同步整流
- 负载开关、热插拔和或门开关
- 无刷直流电机和太阳能逆变器