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NTTFSS1D1N02P1E
1个N沟道 耐压:25V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFSS1D1N02P1E
- 商品编号
- C5208926
- 商品封装
- WDFN-9(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 264A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 先进源极朝下封装技术(3.3x3.3mm),导热性能出色
- 超低 RDS(on),提升系统效率
- 低 QG 和电容,将驱动和开关损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
- DC-DC 开关应用
- 反向阻断应用
- 电源负载开关
- 电池管理与保护