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NTMT061N60S5F
1个N沟道 耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT061N60S5F
- 商品编号
- C5208920
- 商品封装
- TDFN4-2(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C / 典型RDS(on) = 48.8 mΩ
- 100%雪崩测试 / MSL1认证
- 开尔文源极配置和低寄生源极电感
- 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源
- 电信/服务器电源
- 照明/充电器/适配器/工业电源