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NTMT061N60S5F
1个N沟道 耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT061N60S5F
- 商品编号
- C5208920
- 商品封装
- TDFN4-2(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V,20.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.175nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率
- 低阈值电压，额定值为1.5 V
- 栅极具备静电放电（ESD）保护
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 提供无铅封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池管理
- 便携式设备，如手机、个人数字助理（PDA）、数码相机、寻呼机等