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NVMJST1D6N04CTXG实物图
  • NVMJST1D6N04CTXG商品缩略图

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NVMJST1D6N04CTXG

1个N沟道 耐压:40V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMJST1D6N04CTXG
商品编号
C5208906
商品封装
LFPAK-10(7.5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)314A
导通电阻(RDS(on))1.65mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)3.3nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

SUPERFET V MOSFET FRFET系列优化了体二极管的性能特性。这有助于在应用中减少元件数量,提高应用的性能和可靠性,尤其是在使用软开关拓扑时。

商品特性

  • 小尺寸(5x7 mm),适用于紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • TCPAK57 5x7顶部散热封装
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 电动汽车车载充电器
  • 电动汽车主电池DC/DC转换器

数据手册PDF