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NVTFS070N10MCLTAG
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 低电容，可降低驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS070N10MCLTAG
- 商品编号
- C5208186
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低电容,可将驱动损耗降至最低
- NVTFWS070N10MCL - 可焊侧翼产品
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动-电池保护-同步整流