温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS0D5N04XLT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:455A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：低 RDS(on)，以尽量减少传导损耗。 低 QRR，具有软恢复功能，以尽量减少 ERR 损耗和电压尖峰。 低 QG 和电容，以尽量减少驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：高开关频率 DC-DC 转换。 同步整流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D5N04XLT1G
- 商品编号
- C5208889
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 455A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 194W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.444nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低反向恢复电荷QRR和软恢复特性,以最小化反向恢复损耗ERR和电压尖峰
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动和开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-高开关频率DC-DC转换-同步整流