温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 178A；75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W；27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@4.5V；27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF；4.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF；118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流转换器-系统电压轨