温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 178A；75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.87mΩ@10V,178A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W；27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@4.5V；27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF@12V；4.265nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@12V；118pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFS5C604NWF - 可焊侧翼选项，便于进行光学检测
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准